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IXTA170N075T2
IXTP170N075T2
200
Fig. 7. Input Admittance
110
Fig. 8. Transconductance
180
160
140
100
90
80
T J = - 40oC
25oC
120
100
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
70
60
50
40
30
20
10
0
150oC
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
280
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 38V
I D = 85A
I G = 10mA
80
T J = 150oC
3
40
0
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10,000
f = 1 MHz
Ciss
1,000
R DS( on ) Limit
10ms
1ms
100μs
25μs
100
1,000
Coss
Crss
10
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC, 100ms
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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